BSD840N H6327
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BSD840N H6327參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：880mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 880mA，2.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：78pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT363-6